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IRF7341PBF
- Modello di prodotti:
- IRF7341PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16954 Pieces
- Scheda dati:
- IRF7341PBF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SP001577408 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF7341PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 740pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.7A |
| Email: | [email protected] |
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