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IRF7341GTRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF7341GTRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 5.1A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14588 Pieces
- Scheda dati:
- IRF7341GTRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF7341GTRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF7341GTRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 50 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Potenza - Max: | 2.4W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SP001563394 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF7341GTRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 780pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 5.1A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.1A |
| Email: | [email protected] |
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