IRF630STRL
IRF630STRL
Modello di prodotti:
IRF630STRL
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
15358 Pieces
Scheda dati:
IRF630STRL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 5.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 74W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF630STRL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 9A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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