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IRF630L
- Modello di prodotti:
- IRF630L
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14199 Pieces
- Scheda dati:
- IRF630L.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF630L, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF630L via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | *IRF630L |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF630L |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 9A (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 9A TO-262 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRF630L
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