IRF6201PBF
IRF6201PBF
Modello di prodotti:
IRF6201PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 27A 8-SO
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18114 Pieces
Scheda dati:
IRF6201PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SP001570096
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF6201PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8555pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:195nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 27A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 27A 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:27A (Ta)
Email:[email protected]

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