Acquistare IRF6216PBF con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 240 mOhm @ 1.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SP001576900 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF6216PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1280pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 150V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 150V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |