IRF60R217
IRF60R217
Modello di prodotti:
IRF60R217
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 58A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16131 Pieces
Scheda dati:
IRF60R217.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.7V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:StrongIRFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:9.9 mOhm @ 35A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IRF60R217TR
SP001559662
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF60R217
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2170pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 58A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 58A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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