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IRF5810TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF5810TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12023 Pieces
- Scheda dati:
- IRF5810TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF5810TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF5810TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 960mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | IRF5810TRPBF-ND IRF5810TRPBFTR SP001574802 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 2 (1 Year) |
| codice articolo del costruttore: | IRF5810TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A |
| Email: | [email protected] |
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