IRF5852TRPBF
IRF5852TRPBF
Modello di prodotti:
IRF5852TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12930 Pieces
Scheda dati:
IRF5852TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.25V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-TSOP
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Potenza - Max:960mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi:IRF5852TRPBF-ND
IRF5852TRPBFTR
SP001554076
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):2 (1 Year)
codice articolo del costruttore:IRF5852TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A
Email:[email protected]

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