IRF40R207
IRF40R207
Modello di prodotti:
IRF40R207
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17664 Pieces
Scheda dati:
IRF40R207.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 50µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:5.1 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IRF40R207-ND
IRF40R207TR
SP001564382
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF40R207
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2110pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 56A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:56A (Tc)
Email:[email protected]

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