Acquistare BSC076N06NS3GATMA1 con BYCHPS
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		| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 35µA | 
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V | 
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TDSON-8 | 
| Serie: | OptiMOS™ | 
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7.6 mOhm @ 50A, 10V | 
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | 
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) | 
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN | 
| Altri nomi: | BSC076N06NS3 G  BSC076N06NS3 G-ND BSC076N06NS3 GTR-ND BSC076N06NS3G SP000453656  | 
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo montaggio: | Surface Mount | 
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks | 
| codice articolo del costruttore: | BSC076N06NS3GATMA1 | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4000pF @ 30V | 
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Caratteristica FET: | - | 
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 | 
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V | 
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V | 
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | 
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |