IPS06N03LZ G
IPS06N03LZ G
Modello di prodotti:
IPS06N03LZ G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17006 Pieces
Scheda dati:
IPS06N03LZ G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 40µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO251-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:5.9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Altri nomi:IPS06N03LZGX
SP000016328
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:IPS06N03LZ G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2653pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 50A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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