IXFX120N20
IXFX120N20
Modello di prodotti:
IXFX120N20
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15585 Pieces
Scheda dati:
IXFX120N20.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:17 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):560W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:IFX120N20
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFX120N20
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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