Acquistare IPP12CN10LGXKSA1 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 83µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO-220-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12 mOhm @ 69A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | IPP12CN10L G IPP12CN10L G-ND IPP12CN10LG SP000680864 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPP12CN10LGXKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5600pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 69A (Tc) |
| Email: | [email protected] |