IPP120N06NGAKSA1
IPP120N06NGAKSA1
Modello di prodotti:
IPP120N06NGAKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16165 Pieces
Scheda dati:
IPP120N06NGAKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 94µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO220-3-1
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):158W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:IPP120N06N G
IPP120N06N G-ND
IPP120N06NGIN
IPP120N06NGIN-ND
IPP120N06NGX
IPP120N06NGXK
SP000204175
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPP120N06NGAKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 75A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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