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IPI200N25N3 G
- Modello di prodotti:
- IPI200N25N3 G
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19683 Pieces
- Scheda dati:
- IPI200N25N3 G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 270µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 mOhm @ 64A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | IPI200N25N3G IPI200N25N3GAKSA1 SP000714308 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPI200N25N3 G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7100pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 64A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPI200N25N3 G
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