AOWF12T60P
AOWF12T60P
Modello di prodotti:
AOWF12T60P
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18524 Pieces
Scheda dati:
1.AOWF12T60P.pdf2.AOWF12T60P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-262F
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:520 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):28W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Altri nomi:785-1693-5
785-1693-5-ND
785-1702-5
AOWF12T60P-ND
AOWF12T60PL
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AOWF12T60P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2028pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 12A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-262F
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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