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IPI180N10N3GXKSA1
- Modello di prodotti:
- IPI180N10N3GXKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14749 Pieces
- Scheda dati:
- IPI180N10N3GXKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 33µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 18 mOhm @ 33A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 71W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | IPI180N10N3 G IPI180N10N3 G-ND IPI180N10N3G SP000683076 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPI180N10N3GXKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 43A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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