IRF7769L2TRPBF
IRF7769L2TRPBF
Modello di prodotti:
IRF7769L2TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19473 Pieces
Scheda dati:
IRF7769L2TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET L8
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:3.5 mOhm @ 74A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.3W (Ta), 125W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric L8
Altri nomi:IRF7769L2TRPBF-ND
IRF7769L2TRPBFTR
SP001577490
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF7769L2TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11560pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:375A (Tc)
Email:[email protected]

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