IPD60N10S412ATMA1
Modello di prodotti:
IPD60N10S412ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16515 Pieces
Scheda dati:
IPD60N10S412ATMA1.pdf

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per IPD60N10S412ATMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPD60N10S412ATMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare IPD60N10S412ATMA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 46µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3-313
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:12.2 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):94W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:SP001102936
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:IPD60N10S412ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2470pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti