IPD60R385CPATMA1
IPD60R385CPATMA1
Modello di prodotti:
IPD60R385CPATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18411 Pieces
Scheda dati:
IPD60R385CPATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 340µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™ CP
Rds On (max) a Id, Vgs:385 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD60R385CPATMA1TR
SP000680638
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IPD60R385CPATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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