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IPD25N06S240ATMA1
- Modello di prodotti:
- IPD25N06S240ATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19565 Pieces
- Scheda dati:
- IPD25N06S240ATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 26µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 40 mOhm @ 13A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 68W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD25N06S2-40 IPD25N06S2-40-ND SP000252164 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD25N06S240ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 513pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPD25N06S240ATMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD25N06S240ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD25N06S4L30ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD25CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD250N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | Inchiesta |
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IPA90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP | Inchiesta |
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IXFQ28N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 28A TO3P | Inchiesta |
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FDC3616N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6 | Inchiesta |
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IPD25CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | Inchiesta |
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NP180N04TUJ-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 | Inchiesta |
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