IPD250N06N3GBTMA1
IPD250N06N3GBTMA1
Modello di prodotti:
IPD250N06N3GBTMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12224 Pieces
Scheda dati:
IPD250N06N3GBTMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 11µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 28A, 10V
Dissipazione di potenza (max):36W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD250N06N3 G
IPD250N06N3 G-ND
IPD250N06N3 GTR-ND
IPD250N06N3G
SP000453634
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPD250N06N3GBTMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 28A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

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