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IPD068P03L3GBTMA1
- Modello di prodotti:
- IPD068P03L3GBTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12951 Pieces
- Scheda dati:
- IPD068P03L3GBTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 150µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.8 mOhm @ 70A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 100W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD068P03L3 G IPD068P03L3 G-ND IPD068P03L3 GTR-ND IPD068P03L3G IPD068P03L3GBTMA1TR SP000472988 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD068P03L3GBTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7720pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 91nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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