IPD068N10N3GBTMA1
IPD068N10N3GBTMA1
Modello di prodotti:
IPD068N10N3GBTMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14762 Pieces
Scheda dati:
IPD068N10N3GBTMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 90µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.8 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-ND
SP000469892
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPD068N10N3GBTMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4910pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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