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IPB65R660CFD
- Modello di prodotti:
- IPB65R660CFD
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 6A TO263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15414 Pieces
- Scheda dati:
- IPB65R660CFD.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPB65R660CFD, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB65R660CFD via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 62.5W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB65R660CFD-ND IPB65R660CFDATMA1 SP000861698 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPB65R660CFD |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 615pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 6A TO263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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