IPB45N06S4L08ATMA1
IPB45N06S4L08ATMA1
Modello di prodotti:
IPB45N06S4L08ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15892 Pieces
Scheda dati:
IPB45N06S4L08ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 35µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:7.9 mOhm @ 45A, 10V
Dissipazione di potenza (max):71W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB45N06S4L-08
IPB45N06S4L-08-ND
SP000374316
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPB45N06S4L08ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4780pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:64nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 45A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

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