Acquistare IPB45N06S3-16 con BYCHPS
Acquista con garanzia
IPB45N06S3-16
- Modello di prodotti:
- IPB45N06S3-16
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14124 Pieces
- Scheda dati:
- IPB45N06S3-16.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPB45N06S3-16, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB45N06S3-16 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 30µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 15.4 mOhm @ 23A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 65W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB45N06S3-16INDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPB45N06S3-16 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2980pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 57nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 45A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPB45N06S3-16
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | Inchiesta |
 |
R6035ENZC8 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF | Inchiesta |
|
IPB45N06S3L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 | Inchiesta |
|
IPB45N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2 | Inchiesta |
|
IPB45N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB45P03P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB45N06S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | Inchiesta |
 |
STH315N10F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 | Inchiesta |
 |
HUF75631S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | Inchiesta |
 |
NTD25P03LT4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 25A DPAK | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog