Acquistare IPB34CN10NGATMA1 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 29µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-2 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 34 mOhm @ 27A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 58W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Altri nomi: | IPB34CN10N G IPB34CN10N G-ND SP000277693 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | IPB34CN10NGATMA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1570pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 100V 27A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 27A (Tc) |
Email: | [email protected] |