IRF640STRL
IRF640STRL
Modello di prodotti:
IRF640STRL
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18306 Pieces
Scheda dati:
IRF640STRL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 130W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF640STRL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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