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IPB26CN10NGATMA1
- Modello di prodotti:
- IPB26CN10NGATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12048 Pieces
- Scheda dati:
- IPB26CN10NGATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 39µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 26 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 71W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB26CN10N G IPB26CN10N G-ND SP000277692 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPB26CN10NGATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2070pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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