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RSR010N10TL
- Modello di prodotti:
- RSR010N10TL
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12747 Pieces
- Scheda dati:
- RSR010N10TL.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 520 mOhm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 540mW (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SC-96 |
| Altri nomi: | RSR010N10TLDKR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RSR010N10TL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 1A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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