IPB10N03LB
Modello di prodotti:
IPB10N03LB
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12982 Pieces
Scheda dati:
IPB10N03LB.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 20µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:9.6 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):58W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Altri nomi:IPB10N03LBT
SP000064220
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPB10N03LB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1639pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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