IPB107N20NA
IPB107N20NA
Modello di prodotti:
IPB107N20NA
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19714 Pieces
Scheda dati:
IPB107N20NA.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:10.7 mOhm @ 88A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB107N20NA-ND
IPB107N20NAATMA1
SP000877674
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB107N20NA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7100pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:88A (Tc)
Email:[email protected]

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