IPAW60R190CEXKSA1
IPAW60R190CEXKSA1
Modello di prodotti:
IPAW60R190CEXKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16876 Pieces
Scheda dati:
IPAW60R190CEXKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 630µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO220 Full Pack
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:190 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):34W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:SP001391612
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:IPAW60R190CEXKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Descrizione espansione:N-Channel 600V 26.7A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:26.7A (Tc)
Email:[email protected]

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