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IPA80R650CEXKSA2
- Modello di prodotti:
- IPA80R650CEXKSA2
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V TO-220-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19936 Pieces
- Scheda dati:
- IPA80R650CEXKSA2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 470µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-3F |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 650 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 33W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | SP001313394 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPA80R650CEXKSA2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 8A (Ta) 33W (Tc) TO-220-3F |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPA80R650CEXKSA2
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