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HP8S36TB
- Modello di prodotti:
- HP8S36TB
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17099 Pieces
- Scheda dati:
- HP8S36TB.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per HP8S36TB, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per HP8S36TB via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-HSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 32A, 10V |
| Potenza - Max: | 29W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | HP8S36TBTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | HP8S36TB |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6100pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 27A, 80A |
| Email: | [email protected] |
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