GA50JT17-247
GA50JT17-247
Modello di prodotti:
GA50JT17-247
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
TRANS SJT 1.7KV 100A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19441 Pieces
Scheda dati:
GA50JT17-247.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):3.42V
Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 50A
Dissipazione di potenza (max):583W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:1242-1247
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:GA50JT17-247
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:-
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:1700V (1.7kV) 100A (Tc) 583W (Tc) Through Hole TO-247
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):-
Tensione drain-source (Vdss):1700V (1.7kV)
Descrizione:TRANS SJT 1.7KV 100A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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