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GA50JT06-258
- Modello di prodotti:
- GA50JT06-258
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS SJT 600V 100A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15663 Pieces
- Scheda dati:
- GA50JT06-258.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-258 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 50A |
| Dissipazione di potenza (max): | 769W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-258-3, TO-258AA |
| Altri nomi: | 1242-1253 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GA50JT06-258 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | 600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | TRANS SJT 600V 100A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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