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GA20SICP12-247
- Modello di prodotti:
- GA20SICP12-247
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS SJT 1200V 45A TO247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12821 Pieces
- Scheda dati:
- GA20SICP12-247.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per GA20SICP12-247, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per GA20SICP12-247 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247AB |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 50 mOhm @ 20A |
| Dissipazione di potenza (max): | 282W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GA20SICP12-247 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3091pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | TRANS SJT 1200V 45A TO247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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