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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTH2N300P3HV
IXTH2N300P3HV
IXTH2N300P3HV
Modello di prodotti:
IXTH2N300P3HV
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18231 Pieces
Scheda dati:
IXTH2N300P3HV.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247HV
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:21 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):520W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTH2N300P3HV
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:73nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 3000V (3kV) 2A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247HV
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):3000V (3kV)
Descrizione:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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