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GA01PNS80-220
- Modello di prodotti:
- GA01PNS80-220
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE SILICON CARBIDE 8KV
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13643 Pieces
- Scheda dati:
- GA01PNS80-220.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Picco inversa (max): | 8000V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| Resistenza a If, F: | - |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | Axial |
| Altri nomi: | 1242-1259 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GA01PNS80-220 |
| Descrizione espansione: | RF Diode PIN - Single 8000V 2A |
| Tipo diodo: | PIN - Single |
| Descrizione: | DIODE SILICON CARBIDE 8KV |
| Corrente - Max: | 2A |
| Capacità a Vr, F: | 4pF @ 1000V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GA01PNS80-220
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
HSMS-2808-TR2G | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY RF QD 70V SOT-143 | Inchiesta |
 |
CLA4607-000 | Skyworks Solutions Inc. | DIODE LIMITER SILICON 120-180V | Inchiesta |
|
HSMS-280M-BLKG | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY RF QUAD 70V SOT23 | Inchiesta |
|
HBAT-5402-TR1 | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY 30V 220MA SOT-23 | Inchiesta |
 |
BAR 88-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE PIN SGL 80V 100MA SC-79 | Inchiesta |
 |
BAR5003WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 100MA SOD323 | Inchiesta |
|
5082-3077#T50 | Broadcom Limited | DIODE PIN GEN PURP SW 200V AXIAL | Inchiesta |
 |
GA01PNS150-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A | Inchiesta |
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