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GA01PNS150-220
- Modello di prodotti:
- GA01PNS150-220
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13880 Pieces
- Scheda dati:
- GA01PNS150-220.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Picco inversa (max): | 15000V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| Resistenza a If, F: | - |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | Axial |
| Altri nomi: | 1242-1258 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GA01PNS150-220 |
| Descrizione espansione: | RF Diode PIN - Single 15000V 1A |
| Tipo diodo: | PIN - Single |
| Descrizione: | DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A |
| Corrente - Max: | 1A |
| Capacità a Vr, F: | 7pF @ 1000V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GA01PNS150-220
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
HSMS-2803-TR2G | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY RF CA 70V SOT-23 | Inchiesta |
 |
BAR6405WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | DIODE RF CC 150V 100MA SOT-323 | Inchiesta |
 |
GA01PNS80-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON CARBIDE 8KV | Inchiesta |
 |
BAR63V-03-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RF PIN DUAL CC SOT323 | Inchiesta |
 |
JDP2S12CR(TE85L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE PIN 180V 1A S-FLAT | Inchiesta |
|
HSMP-3824-TR1G | Broadcom Limited | DIODE PIN SWITCH 50V SOT23-3 | Inchiesta |
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