FQPF3N90_NL
FQPF3N90_NL
Modello di prodotti:
FQPF3N90_NL
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12655 Pieces
Scheda dati:
FQPF3N90_NL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:4.25 Ohm @ 1.05A, 10V
Dissipazione di potenza (max):43W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQPF3N90_NL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:910pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 900V 2.1A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione:MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

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