FQPF3N80CYDTU
FQPF3N80CYDTU
Modello di prodotti:
FQPF3N80CYDTU
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19363 Pieces
Scheda dati:
FQPF3N80CYDTU.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F-3 (Y-Forming)
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):39W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQPF3N80CYDTU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:705pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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