FQP17N08
Modello di prodotti:
FQP17N08
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15545 Pieces
Scheda dati:
1.FQP17N08.pdf2.FQP17N08.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:115 mOhm @ 8.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):65W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQP17N08
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 16.5A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16.5A (Tc)
Email:[email protected]

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