IXFV12N80PS
Modello di prodotti:
IXFV12N80PS
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15312 Pieces
Scheda dati:
IXFV12N80PS.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 2.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS-220SMD
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (max) a Id, Vgs:850 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):360W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:PLUS-220SMD
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFV12N80PS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 12A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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