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FQI27N25TU
- Modello di prodotti:
- FQI27N25TU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19373 Pieces
- Scheda dati:
- FQI27N25TU.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQI27N25TU, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQI27N25TU via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 110 mOhm @ 12.75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQI27N25TU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2450pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 250V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 25.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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