PHK04P02T,518
Modello di prodotti:
PHK04P02T,518
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12270 Pieces
Scheda dati:
PHK04P02T,518.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:600mV @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:1727-2156-2
568-11870-2-ND
568-12317-2-ND
934057290518
PHK04P02T /T3
PHK04P02T /T3-ND
PHK04P02T,518-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:PHK04P02T,518
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:528pF @ 12.8V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.2nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 16V 4.66A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):16V
Descrizione:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.66A (Tc)
Email:[email protected]

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