FQH8N100C
FQH8N100C
Modello di prodotti:
FQH8N100C
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15947 Pieces
Scheda dati:
FQH8N100C.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.45 Ohm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):225W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:37 Weeks
codice articolo del costruttore:FQH8N100C
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3220pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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